1.一種在襯底上具有氮化鎵基化合物半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述氮化鎵基化合物半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)包括n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和p型半導(dǎo)體層，其中設(shè)置在所述p型半導(dǎo)體層上的正電極是反射性正電極，所述反射性正電極包括透明材料層和形成在所述透明材料層上的反射性金屬層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明材料層包含導(dǎo)電材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明材料層包含不導(dǎo)電材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求2的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明材料層與所述p型半導(dǎo)體層接觸，并用作正電極接觸層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述正電極接觸層設(shè)置在所述透明材料層與所述p型半導(dǎo)體層之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求2的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明材料層由選自ITO、TiO₂、ZnO、ZnS、Bi₂O₃、MgO、ZnAlO以及SnO₂的至少一種材料形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明材料層由選自ITO、ZnO、MgO、ZnAlO以及SnO₂的至少一種材料形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述反射性金屬層由選自Ag、Al、Fe、Cr、Ti、Co、Ni、Pd、Os、Ru、Pt、Rh以及Ir的至少一種金屬形成，或者由包含這些金屬中的至少一種的合金形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述反射性金屬層由選自Ag、Al、Fe、Pt、Rh以及Ir的至少一種金屬形成，或者由包含這些金屬中的至少一種的合金形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述反射性金屬層由選自Ag和Al的至少一種金屬形成，或者由包含這些金屬中的至少任何一種的合金形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述反射性金屬層形成為在其面對所述透明材料層的表面上具有凹陷/凸起。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述透明材料層形成為在其面對所述反射性金屬層的表面上具有凹陷/凸起。

13.根據(jù)權(quán)利要求11的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述凹陷/凸起形成為條形圖形。

14.根據(jù)權(quán)利要求11的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述凹陷/凸起形成為點(diǎn)狀或格子狀圖形。

15.根據(jù)權(quán)利要求11的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述凹陷/凸起形成為任意形狀。

16.根據(jù)權(quán)利要求11的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述凹陷/凸起由曲面形成。

17.根據(jù)權(quán)利要求11的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述凹陷/凸起由相對于襯底表面傾斜的平面形成。

18.根據(jù)權(quán)利要求17的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述傾斜平面相對于所述襯底表面成5至85度的角。

19.根據(jù)權(quán)利要求11的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述凹陷/凸起具有0.01μm至10μm的高度差。

20.一種燈，包括根據(jù)權(quán)利要求1至19中任何一項(xiàng)的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件。