1.一種沉積方法，其包含：

在沉積設備的反應腔室內提供半導體襯底堆疊；

在所述反應腔室內將所述半導體襯底加熱到第一溫度；

在所述反應腔室內提供表面，所述表面被加熱到至少大約所述第一溫度；所述表面與所述半導體襯底堆疊間隔某一距離；以及

使沉積材料朝向所述表面且此后朝向所述半導體襯底堆疊流動；所述沉積材料與所述加熱表面相互作用，使得發生副反應；所述副反應產生一種或一種以上成問題的產物；所述加熱表面與所述半導體襯底堆疊之間的距離足夠大，使得所述一種或一種以上成問題的產物中大致上沒有一者到達所述半導體襯底堆疊。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述加熱表面是被加熱到至少大約所述第一溫度的多個加熱表面中的一者，且沉積材料與所述加熱表面相互作用，使得所述副反應發生在與所述半導體襯底堆疊相距足夠距離處，使得所述一種或一種以上成問題的產物中大致上沒有一者到達所述半導體襯底堆疊。

3.根據權利要求1所述的方法，其為原子層沉積方法。

4.根據權利要求1所述的方法，其為化學氣相沉積方法。

5.根據權利要求1所述的方法，其為原子層沉積方法；其中所述沉積材料包括在暴露到所述加熱表面時分解以形成經歷所述副反應的第一成分且形成在所需原子層沉積反應中與所述一個或一個以上半導體襯底的表面反應的第二成分的前驅物。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述沉積材料包括經歷所述副反應的至少一種污染物。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述加熱表面是所述反應腔室的側壁的內部表面。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述加熱表面是在所述反應腔室中提供在入口端口與所述半導體襯底堆疊之間的板的表面；且其中所述沉積材料穿過所述入口端口而流入所述反應腔室中。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述板的加熱表面至少部分地圍繞所述入口端口彎曲。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述加熱表面是在所述反應腔室中提供在入口端口與所述半導體襯底堆疊之間的篩網的表面；且其中所述沉積材料穿過所述入口端口而流入所述反應腔室中。

11.根據權利要求1所述的方法，其中：

入口端口位于所述反應腔室內，且所述沉積材料穿過所述入口端口而流入所述反應腔室中；

所述入口端口是入口噴嘴的側壁中的小孔；

導管大致上完全包圍所述入口噴嘴，使得所述入口端口引導所述沉積材料以接觸所述導管的壁；

所述導管具有至少一個延伸穿過其中而進入所述腔室中的開口，且所述沉積材料在被引導而與所述導管的所述壁接觸之后穿過所述導管的所述至少一個開口且進入所述沉積腔室中；且

所述導管的壁是所述加熱表面。

12.一種沉積方法，其包含：

提供其中保持有一個或一個以上半導體襯底的沉積設備；所述設備包括：反應腔室、經配置以用于將流體注入所述反應腔室中的入口端口以及位于所述反應腔室內并緊靠所述入口端口的加熱表面；所述一個或一個以上半導體襯底位于所述反應腔室內；

在所述設備內將所述一個或一個以上半導體襯底加熱到第一溫度，且將所述加熱表面加熱到第二溫度，所述第二溫度至少大約與所述第一溫度相同；

提供一種或一種以上前驅物的總體流動，所述一種或一種以上前驅物的總體流動穿過所述入口端口朝向所述加熱表面且此后朝向所述一個或一個以上半導體襯底；以及

所述一種或一種以上前驅物的總體流動與所述加熱表面相互作用足夠長的時間，使得不良副反應發生在所述總體流動超過所述加熱表面朝向所述一個或一個以上半導體襯底移動之前。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述入口端口是穿過其將所述一種或一種以上前驅物注入所述腔室中的多個入口端口中的一者，其中所述加熱表面是所述反應腔室內被加熱到至少大約與所述第一溫度相同的溫度的多個加熱表面中的一者；且其中所述加熱表面與所述入口端口配對。

14.根據權利要求12所述的方法，其中朝向所述加熱表面的總體流動大約處于所述腔室內的擴散速率。