1.一個光電設(shè)備，包括多個光探測器，每個所述光探測器包括多個平行連接的光探測片，所述多個光探測器的光探測片是間隔插入排列的，使得一個光探測器的一個光探測片位于另一光探測器的光探測片之間，另一光探測器的一個光探測片位于所述光探測器的光探測片之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其中每個所述光探測片是伸長型的，并包括在光吸收層上的多個插入式金屬電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其中所述伸長光探測片都是相同寬度，且在間隔插入式的伸長光探測片的相鄰對之間的間距是相同的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，所述伸長光探測片具有相同尺寸，且在間隔插入式的伸長光探測片的相鄰對之間的間距是相同的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其中所述伸長光探測片包括相同寬度的矩形部分，所述伸長光片的長邊是平行的，且在間隔插入式的伸長光探測片的相鄰對之間的間距是相同的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其中所述光探測片是伸長型的，且所述伸長光探測片的長寬比率超過10。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其中所述光探測片是伸長型的，且所述伸長光探測片的長寬比率超過100。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其中所述多個光探測器在單個基板上形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其中所述多個光探測器中的每個都具有單獨(dú)輸出端口。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其中所述光探測器包括光電二極管。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電設(shè)備，其中所述光探測器包括MSM光探測器。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光電設(shè)備，還包括與所述多個光探測器的信號輸出微分連接著的微分電路。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光電設(shè)備，其中至少一光探測器的伸長光探測片具有一波長感應(yīng)涂層。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光電設(shè)備，其中光探測器的伸長光探測片上涂有一波長感應(yīng)涂層，所述光探測器上的波長感應(yīng)涂層是不同的，它們被安排調(diào)整使得能產(chǎn)生一個波長對響應(yīng)度的線性區(qū)域。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光電設(shè)備，其中光探測器的伸長光探測片具有一波長感應(yīng)涂層，所述多個光探測器上涂層的波長感應(yīng)度是不同的。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光電設(shè)備，還包括波長感應(yīng)電路，波長感應(yīng)電路包括信號處理裝置，以處理來自所述多個光探測器的微分信號輸出，用來確定入射光信號的波長。

17.一個光探測設(shè)備，包括權(quán)利要求11所述的光電設(shè)備，其中所述多個光探測器具有微分輸出，微分輸出被微分放大。

18.一個光探測設(shè)備，包括權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其中所述多個光探測器涂敷有波長感應(yīng)物質(zhì)，且對所述多個光探測器而言，波長感應(yīng)度是不同的，從所述多個光探測器的輸出差被處理用于波長識別。