1.一種絕熱鎖存器，其特征在于：包括基本絕熱鎖存單元、初級激勵絕熱鎖存單元和次級激勵絕熱鎖存單元；所述初級激勵絕熱鎖存單元所產生的輸出送到所述次級激勵絕熱鎖存單元的輸入，所述次級激勵絕熱鎖存單元的輸出送到所述基本絕熱鎖存單元的輸入；

所述基本絕熱鎖存單元、初級激勵絕熱鎖存單元和次級激勵絕熱鎖存單元均包含一級絕熱組合電路；所述絕熱鎖存組合電路是由三管絕熱反相器內核和二個控制門組成；所述三管絕熱反相器內核是由一個PMOS管p₁和二個NMOS管n₁和n₂構成，其中管p₁的源極接地，管n₁和n₂的源極接功率時鐘cp，cp即負交變電位，p₁的漏極和n₁的漏極以及n₂的柵極共同接到Q_r輸出，p₁的柵極和n₁的柵極以及n₂的漏極共同接到輸出；Q_r和地之間接S控制門，和地之間接R控制門，滿足RS＝0，即S控制門和R控制門不同時導通，S＝1時S控制門導通，R＝1時R控制門導通；有相差為120°的三個時鐘cp₀、cp₁和cp₂可作為cp；

所述基本絕熱鎖存單元接時鐘cp₂，由其所屬的所述三管絕熱反相器內核、R控制門和S控制門構成；其中所述三管絕熱反相器內核的輸出Q_r和為基本絕熱鎖存單元輸出Q和S控制門由一個PMOS控制管p₃構成，p₃的柵極接控制信號R控制門由一個PMOS控制管p₂構成，p₂的柵極接控制信號滿足p₂和p₃二管不同時導通，S＝1時p₃管導通，R＝1時p₂管導通；

所述次級激勵絕熱鎖存單元接時鐘cp₁，由其所屬的所述三管絕熱反相器內核、R控制門和S控制門構成；其中所述三管絕熱反相器內核的輸出Q_r和為次級激勵絕熱鎖存單元輸出Q_b和該單元的S邏輯式和R邏輯式分別為S=Sb=x3y‾x2ax1y]]>和R＝R_b＝x_3y(x_0a+x_4a)，RS＝R_bS_b＝0，按照‘+為并聯，·為串聯，變量取反’方式得出：S控制門由3個PMOS管q₄、q₅、q₆組成，該3管串聯，R控制門由3個PMOS管q₁₄、q₁₅、q₁₆組成，管q₁₄與2管q₁₅、q₁₆的并聯回路串聯，管q₄、q₅、q₆、q₁₄、q₁₅、q₁₆的柵極輸入分別為x_3y、

所述初級激勵絕熱鎖存單元接時鐘cp₀，由其所屬的所述三管絕熱反相器內核、R控制門和S控制門構成；其中所述三管絕熱反相器內核的輸出Q_r和為初級激勵絕熱鎖存單元輸出Q_a和該單元的S邏輯式和R邏輯式分別為S＝S_a＝x₃x₂x₁和R=Ra=x3‾+x2‾+x1‾,]]>RS＝R_aS_a＝0，按照‘+為并聯，·為串聯，變量取反’方式得出：S控制門由3個PMOS管p₄、p₅、p₆組成，該3管串聯，R控制門由3個PMOS管p₁₄、p₁₅、p₁₆組成，該3管并聯，管p₄、p₅、p₆、p₁₄、p₁₅、p₁₆的柵極輸入分別為x₃、x₂、x₁；

所述初級激勵絕熱鎖存單元和次級激勵絕熱鎖存單元的R控制門和S控制門為多個PMOS控制管的串并聯組合，按照S邏輯式和R邏輯式分別連接S控制門和R控制門的串并聯結構，其中邏輯加+接為并聯，邏輯乘·接為串聯，且變量取反，所述變量取反就是取邏輯式中的一個變量的反變量作為這個變量所屬的一個PMOS控制管的柵極控制輸入信號，變量取反的原因是基于接到PMOS控制管的柵極控制信號為低電平有效。