1.一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結構，包括：玻璃基板、柵線、柵電極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、源電極、漏電極、像素電極及鈍化層，其特征在于：柵電極和柵線上依次為第一絕緣層、有源層和摻雜層；第二絕緣層覆蓋在玻璃基板上、柵線上及柵電極周邊邊緣處；像素電極與漏電極呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成漏電極的位置與柵電極上的摻雜層搭接；源電極和數據線上方覆蓋有透明像素電極層，該透明像素電極層在靠近溝道處搭接在柵電極上的摻雜層上；鈍化層覆蓋在像素電極及漏電極之外的部分。

2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于：所述柵線和柵電極為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構成的復合膜。

3.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于：所述第一絕緣層或第二絕緣層為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構成的復合膜。

4.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于：所述源電極、數據線或漏電極為Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構成的復合膜。

5.一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結構的制造方法，其特征在于，包括：

步驟一，在潔凈的基板上依次沉積柵金屬層，第一柵絕緣層，有源層，摻雜層，采用第一塊掩模版進行掩模、曝光并進行蝕刻，得到柵小島圖形和柵線；

步驟二，在完成步驟一基板上依次沉積第二絕緣層和源漏金屬層，采用第二塊掩模版，該掩模版為灰色調掩模版，經過曝光顯影后得到無光刻膠區域，保留部分光刻膠區域和保留全部光刻膠區域；刻蝕無光刻膠區域露出薄膜晶體管溝道部分的摻雜層，此時柵小島圖形的周邊保留部分第二絕緣層及其上的源漏金屬層和光刻膠；完成刻蝕后，對光刻膠進行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區域的光刻膠，露出像素電極和漏電極區域的源漏金屬層；并接著對像素電極和漏電極區域的源漏金屬層進行刻蝕，完成刻蝕后，采用光刻膠離地剝離工藝，剝離數據線和漏電極上方的光刻膠；

步驟三，在完成步驟二基板上沉積透明像素電極，采用第三塊掩模板，該掩模版為灰色調掩模版，經過曝光顯影后得到無光刻膠區域，保留部分光刻膠區域和保留全部光刻膠區域；刻蝕無光刻膠區域得到薄膜晶體管溝道部分；完成刻蝕后，對光刻膠進行灰化工藝，去除保留部分光刻膠區域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區域的光刻膠，露出數據線和源電極上方的像素電極層；接著沉積一層鈍化層，并結合光刻膠離地剝離工藝，剝離掉像素電極、源電極及源電極與摻雜層搭接部分區域上方的光刻膠。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述第二塊掩膜版經過曝光顯影后保留全部光刻膠的區域包括形成數據線區域和源電極區域；保留部分光刻膠區域包括像素電極、源電極區域。

7.根據權利要求5或6所述的制造方法，其特征在于：所述步驟二中刻蝕無光刻膠區域包括刻蝕源漏金屬層和第二絕緣層。

8.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述第三塊掩膜版經過曝光顯影后保留全部光刻膠的區域包括形成像素電極、源電極及源電極與摻雜層搭接部分區域的光刻膠；保留部分光刻膠區域包括形成數據線和源電極上透明像素電極層，及像素電極層與柵電極上的摻雜層相搭接部分區域；其他部分為無光刻膠區域。

9.根據權利要求5或8所述的制造方法，其特征在于：所述步驟三中刻蝕無光刻膠區域得到薄膜晶體管溝道部分包括像素電極層刻蝕和摻雜層的刻蝕。