[發(fā)明專利]反熔絲一次可編程的非易失存儲(chǔ)器單元及其制造方法與編程方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200510117693.3 | 申請(qǐng)日: | 2005-11-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1858910A | 公開(公告)日: | 2006-11-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 龍翔瀾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/115 | 分類號(hào): | H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/02 |
| 代理公司: | 北京連和連知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 王永紅 |
| 地址: | 臺(tái)灣省新竹*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反熔絲 一次 可編程 非易失 存儲(chǔ)器 單元 及其 制造 方法 編程 | ||
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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