[其他]真空鍍膜采用致冷器的冷卻方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 101985000000062 | 申請(qǐng)日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN85100062B | 公開（公告）日： | 1987-10-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 許知止;李春茂;周炳琨 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | 分類號(hào)： | ||
| 代理公司： | 清華大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 真空鍍膜 采用 致冷 冷卻 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種真空鍍膜的冷卻方法，其特征在于采用一個(gè)以上的半導(dǎo)體致冷器〔1〕冷卻被鍍工件〔2〕。
2、按照權(quán)利要求1所述的冷卻方法，其特征在于將半導(dǎo)體致冷器〔1〕的冷端與被鍍工件相連，兩端由耐高溫導(dǎo)線〔3〕直接引至鍍膜機(jī)原有的一對(duì)電極〔4〕上，再由電極在罩外接出兩根導(dǎo)線〔5〕至一個(gè)直流穩(wěn)壓電源上。
3、按照權(quán)利要求1或2所述的冷卻方法，其特征是用于砷化鎵半導(dǎo)體激光器解理面鍍單層介質(zhì)膜，采用三個(gè)串聯(lián)的半導(dǎo)體致冷器〔1〕冷卻該激光器，其中一個(gè)致冷器的冷端用低熔點(diǎn)焊錫與激光器的熱沉相粘連，其它兩個(gè)致冷器分別置于激光器的兩側(cè)。
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