1.一種引入半導體器件中的硅化鎢膜(4，14，19/22)，包括取向不同的硅化鎢晶粒，至少包含具有<101>取向的第一種硅化鎢晶粒和具有<001>取向的第二種硅化鎢晶粒，其特征在于

所述具有<001>取向的第二種硅化鎢晶粒在整個體積比率中最多。

2.如權利要求1所述的硅化鎢膜，其特征在于，所述第二種硅化鎢晶粒等于或大于體積的50％。

3.如權利要求1所述的硅化鎢膜，其特征在于，所述第一種硅化鎢晶粒在整個體積比率中最少。

4.如權利要求3所述的硅化鎢膜，其特征在于，所述第一種硅化鎢晶粒的所述比率等于或小于體積的10％。

5.如權利要求1所述的硅化鎢膜，其特征在于，在X射線衍射分析中，所述硅化鎢在(101)處具有第一強度的峰值，指示所述第一種硅化鎢晶粒，而在(002)處具有第二強度的峰值，指示所述第二種硅化鎢晶粒；所述第一強度峰值等于或小于所述第二強度峰值的10％。

6.一種在基片上制作的半導體器件，它包括至少一個復合導電通道；所述通道包括由硅形成的下層(3，13，18/21)和由包含不同取向之硅化鎢晶粒的硅化鎢形成的上層(4，14，19/22)，所述晶粒至少包含具有<101>取向的第一種硅化鎢晶粒和具有<001>取向的第二種硅化鎢晶粒，其特征在于

所述具有<001>取向的第二種硅化鎢晶粒的體積比在整個體積比率中最多。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述至少一個復合導電通道用作場效應晶體管的柵極(3/4，18/19)。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述至少一個復合導電通道用作信號傳送通道(13/14，21/22)。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，還包括另一復合導電通道用作場效應晶體管的柵極(18/19)。

10.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第二種硅化鎢晶粒等于或大于體積的50％。

11.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一種硅化鎢晶粒在整個體積比率中最少。

12.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述第一種硅化鎢晶粒的所述比率等于或小于體積的10％。

13.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，在X射線衍射分析中，所述硅化鎢在(101)處具有第一強度的峰值，指示所述第一種硅化鎢晶粒，而在(002)處具有第二強度的峰值，指示所述第二種硅化鎢晶粒；所述第一強度峰值等于或小于所述第二強度峰值的10％。

14.一種制作半導體器件的工藝方法，包括如下步驟：

a)制備具有至少一個硅層(3，13.18/21)的基片結構；

b)在所述硅層上沉積硅化鎢，制得硅化鎢膜(4，14，18/21)，至少在所述硅層界面處的一部分硅化鎢膜被表示為WSi_x，其中組分比x在2.0至2.2范圍；

c)通過在700℃至850℃下加熱，處理所述硅化鎢膜(4，14，18/21)，以使該硅化鎢膜再生，該硅化鎢膜包含多種不同取向的硅化鎢晶粒，至少有沿<101>取向的第一種硅化鎢晶粒和在整個體積比率中最大的沿<001>取向的第二種硅化鎢晶粒。

15.如權利要求14所述的工藝方法，其特征在于，還包括步驟d)使所述硅化鎢膜(4，14，18/21)暴露于氧化氛圍中。

16.如權利要求14所述的工藝方法，其特征在于，所述硅層是多晶硅。