1．一種場發射器件，其特征在于包括：

在襯底上形成的半導體層；

包括絕緣層和電極的場效應晶體管；

在所述場效應晶體管的漏區和與漏區接觸的所述半導體層的一部分這兩者之一上形成的至少一個發射極。

2．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于所述發射極具有錐形尖端。

3．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于形成用于發射電子的集電極，形成的所述集電極與所述發射極和所述漏區不接觸。

4．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于所述襯底為無定形襯底。

5．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于還包括位于所述襯底與所述半導體層之間的雜質擴散防止層。

6．如權利要求5所述的場發射器件，其特征在于所述雜質擴散防止層由二氧化硅和氮化硅之一的單層、其組合的多層及其復合層中的一種構成。

7．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于所述半導體層主要由周期表中的Ⅳ族元素及Ⅳ族元素的組合的復合半導體中的一種構成。

8．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于所述半導體層由周期表中的Ⅲ族元素和Ⅴ族元素的組合的復合半導體構成。

9．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于所述半導體層是摻雜的p型半導體和n型半導體中的一種。

10．如權利要求1和9中任一個所述的場發射器件，其特征在于所述半導體層是摻有硼、鋁、鎂和鋅之一的p型半導體；以及摻有磷、砷、銻、硅和硫之一的n型半導體中的一種。

11．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于所述半導體層具有無定形、氫處理無定形、多晶和氫處理多晶中的一種結構。

12．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于所述場效應晶體管的所述絕緣層由二氧化硅和氮化硅之一的單層、其組合的多層及其復合層中的一種構成。

13．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于所述場效應晶體管的金屬層和所有的金屬布線由包含質量百分比至少為95的鋁、銅、鈦和鉭之一的單層及其組合的多層中的一種構成。

14．如權利要求3所述的場發射器件，其特征在于把蝕刻速度比所述集電極下的絕緣層的蝕刻速度低的絕緣層用作所述場效應晶體管的鈍化絕緣層。

15．如權利要求14所述的場發射器件，其特征在于把二氧化硅用于所述集電極以下的絕緣層，并氮化硅用于所述場效應晶體管的鈍化層。

16．如權利要求3所述的場發射器件，其特征在于所述場效應晶體管的柵絕緣層比所述集電極以下的絕緣層厚。

17．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于所述發射極的表面覆蓋有在化學上不活潑的保護層，該保護層不降低電子發射特性。

18．如權利要求17所述的場發射器件，其特征在于所述保護層由碳制成。

19．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于在所述場效應晶體管的ⅰ)源和漏以及ⅱ)漏和柵之一之間插入電阻比源和漏高的一層。

20．如權利要求1所述的場發射器件，其特征在于所述半導體是多晶層和包含應變超晶格層及厚度小于100nm的無定形層之一的單晶層中的一種。

21．一種場發射器件，其特征在于包括：

在場效應晶體管的圓形和多邊形之一的漏區中形成的發射極陣列；

位于所述漏區周圍的環形和多邊形之一的柵極；以及

位于所述柵極周圍的源極。

22．如權利要求21所述的場發射器件，其特征在于發射極置于所述漏區中同軸和旋轉對稱之一的位置處。

23．如權利要求21所述的場發射器件，其特征在于所述發射極陣列具有環形和多邊形環之一的會聚電極，所述會聚電極旋轉對稱地包圍所述發射極陣列。

24．如權利要求23所述的場發射器件，其特征在于所述會聚電極還起到電子發射的集電極的作用。