[發明專利]積層陶瓷電子元件的制造方法有效
| 申請號: | 00126279.3 | 申請日: | 2000-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN1285599A | 公開(公告)日: | 2001-02-28 |
| 發明(設計)人: | 大塚幸司 | 申請(專利權)人: | 太陽誘電株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G13/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 魏金璽,邰紅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陶瓷 電子元件 制造 方法 | ||
1、一種積層陶瓷電子元件的制造方法,該方法是包括將陶瓷積層體(3)和研磨粉裝入研磨裝置中,對陶瓷積層體(3)進行研磨的工序,和將研磨的陶瓷積層體(3)和研磨粉進行分離的工序的積層陶瓷電子元件的制造方法,其特征是在對陶瓷積層體(3)進行研磨工序中,在研磨粉磨削上述陶瓷積層體(3)的同時,吸附從陶瓷積層體上磨削下來的研磨屑。
2、根據權利要求1記載的積層陶瓷電子元件的制造方法,特征是上述研磨粉是多孔質體。
3、根據權利要求2記載的積層陶瓷電容器的制造方法,特征是上述研磨粉多孔質體的空孔率為10-75%。
4、根據權利要求1記載的積層陶瓷電子元件的制造方法,特征是上述研磨粉含有油脂成分。
5、根據權利要求4記載的積層陶瓷電容器的制造方法,特征是上述研磨粉中油脂成分含有率為0.05-1.00重量%。
6、根據權利要求1-5中任一項記載的積層陶瓷電子元件的制造方法,特征是上述研磨粉的硬度為1.0-5.0Mou’s。
7、根據權利要求1-6中任一項記載的積層陶瓷電子元件的制造方法,特征是上述研磨粉的比重為0.9-1.5。
8、根據權利要求1-7中任一項記載的積層陶瓷電子元件的制造方法,特征是上述研磨粉的平均粒徑為0.1-0.5mm。
9、根據權利要求1-8中任一項記載的積層陶瓷電子元件的制造方法,特征是上述研磨工序在陶瓷積層體(3)燒成之前進行。
10、根據權利要求1-9中任一項記載的積層陶瓷電子元件的制造方法,特征是上述研磨工序在陶瓷積層體(3)上形成外部電極(2)后進行。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于太陽誘電株式會社,未經太陽誘電株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/00126279.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





