[其他]高速響應光電轉換器及其制造方法無效
| 申請號： | 87100058 | 申請日： | 1987-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN87100058A | 公開（公告）日： | 1987-07-22 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平;間瀨晃;浜谷敏次 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L31/06 | 分類號： | H01L31/06;H01L31/10;H01L31/18;H01L25/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本奈川*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 介紹了一種經過改良的光電轉換器。該光電轉換器包括多個光電半導體元件，各光電半導體元件由第一電極、半導體層和第二電極組成。半導體層的相對表面完全為第一和第二電極所遮蓋。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 高速 響應 光電 轉換器 及其 制造 方法 | ||
【主權項】：
1、一種光電轉換器，其特征在于，該光電轉換器包括；一層光電半導體層；在所述半導體層相對表面上形成并完全遮蓋該相對表面的第一和第二電極；一層在所述半導體層周邊形成并防止所述周邊暴露的樹脂層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
