[發明專利]在集成的多層薄膜電子器件中形成電極互連的方法在審
| 申請號： | 202280018489.8 | 申請日： | 2022-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN116964757A | 公開（公告）日： | 2023-10-27 |
| 發明（設計）人： | D·凡克;R·尚特勒;H·維拉辛哈 | 申請（專利權）人： | 聯邦科學和工業研究組織 |
| 主分類號： | H01L31/05 | 分類號： | H01L31/05 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 譚冀 |
| 地址： | 澳大利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 暫無信息 | 說明書： | 暫無信息 |
| 摘要： | 在集成的多層薄膜電子器件中的至少兩個相鄰單元器件之間形成電極互連的方法，其包括：提供中間器件，所述中間器件包含：在薄膜襯底上的第一電極層，所述第一電極層包含第一圖案化涂層，所述第一圖案化涂層包括相鄰單元器件的至少兩個間隔開的第一電極區段；第一功能層，其包含在所述第一電極層上方的基本上連續的涂層；以及第二功能層，其包含在所述第一功能層上的第二圖案化涂層，所述第二圖案化涂層包含至少兩個間隔開的功能區段，每個功能區段定位在所述第一功能層上以覆蓋所述第一電極區段之一的一部分，從而限定相鄰功能區段之間的間隙部分，所述間隙部分包括所述第一電極區段的一部分和所述第一功能層；以及在所述第二功能層上方施加第二電極層作為第三圖案化涂層，所述第三圖案化涂層包括相鄰單元器件的至少兩個間隔開的第二電極區段，每個第二電極區段被定位為覆蓋所述第二功能層的至少一個功能區段和鄰接間隙部分的一部分，所述鄰接間隙部分包括相鄰單元器件的第一電極區段的至少一部分，所述第三圖案化涂層使用包括傳導性物質和至少第一溶劑的溶液形成，其中所述第一功能層可溶于所述第一溶劑并且所述第二功能層在所述第一溶劑中具有低至零的溶解度，使得將所述第二電極層施加到所述間隙部分在相鄰單元器件的所述第一電極和所述第二電極之間形成穿過所述第一功能層的至少一個導電路徑。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 集成 多層 薄膜 電子器件 形成 電極 互連 方法 | ||
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
